Microscopia applicata alle superfici

Microscopio elettronico a scansione (SEM) Jeol JSM-5600LV

Tensione di accelerazione da 1 a 30 kV sistema di pressione variabile nella camera del campione equipaggiato con:

• rivelatore Everhart-Thornley per elettroni secondari;
• rivelatore a semiconduttore a quadrante multiplo per elettroni retrodiffusi;
• spettrometro a raggi X a dispersione di energia (EDS) Oxford Instruments ISIS Series 300, con risoluzione di 133 eV @ MnKα (5.9 keV)

Dove: Campus Scientifico, Edificio Eta, piano terra (centro di Microscopia Elettronica Giovanni Stevanato)

Hitachi High-Tech TM3000 tabletope microscope (a destra) e sistema di microanalisi EDX modello Oxford SwiftED-3000 (a sinistra)

Microscopio elettronico a scansione (SEM) Hitachi High-Tech TM3000 Tabletope microscope

• Detector BSE a semiconduttore ad alta sensibilità a quattro settori
• Ingrandimenti fino a 30000x
• Condizioni di osservazione: 5kV / 15 kV e Analy (EDX )
• Modalità di osservazione standard e con riduzione di carica (per misura a basso vuoto su campioni anche non metalizzati)
• Immagine BSE composizionale, topografica e a due diverse ombreggiature
• Grandezza massima del campione: 70 mm di diametro
• Altezza massima del campione: 50 mm
• Sorgente: filamento di tungsteno precentrato

Sistema di microanalisi EDX modello Oxford SwiftED-3000

• Rivelatore: Silicon Drift Detector (SDD)
• Area di rilevamento: 30 mm²
• Risoluzione energetica: 161eV (Cu-Ka) equivalente a 137 eV con Mn-Ka
• Finestra a raggi X Super Atmosphere Thin Window (SATW)
• Rivelamento elementi da B₅ a U₉₂
• Analizzatore multicanale Canale 2.048 (10eV/ch)

Consente di eseguire la mappatura di più elementi con una combinazione di un massimo di tre elementi.

Dove: Campus Scientifico, Edificio Beta, 3°piano (Laboratorio VToBETA3L1)

Cressington 108auto-automatic sputter coater per applicazione SEM/EDX munito di sorgente d’oro

• Dimensione della camera 120 mm Ø x 120 mm di altezza
• Testa planare a bassa tensione
• Bersaglio oro montato di serie
• Controllo corrente indipendente dal vuoto variabile 10 - 40mA

Dove:  Campus Scientifico, Edificio Beta, 3°piano (Laboratorio VToBETA3L4)