Giovanni Antonio SALVATORE

Qualifica
Professore Associato
Telefono
041 234 8631
E-mail
giovanni.salvatore@unive.it
SSD
Elettronica [IINF-01/A]
Sito web
www.unive.it/persone/giovanni.salvatore (scheda personale)
Struttura
Dipartimento di Scienze Molecolari e Nanosistemi
Sito web struttura: https://www.unive.it/dsmn
Sede: Campus scientifico via Torino
Stanza: studio 612 (edificio ALFA, 6° piano)
Research Institute
Research Institute for Complexity
Sicurezza
Preposto di Laboratorio
Responsabile dell’Attività di Didattica e Ricerca in Laboratorio (RDRL)

Nicoletti, Jacopo; Puppulin, Leonardo; Routurier, Julie; Frroku, Saimir; Loudhaief, Nouha; Crestini, Claudia; Perosa, Alvise; Selva, Maurizio; Gigli, Matteo; Back, Michele; Riello, Pietro; De Fazio, Domenico; Salvatore, Giovanni Antonio Enhanced Piezoelectricity in Sustainable-By-Design Chitosan Nanocomposite Soft Thin Films for Green Sensors in ACS NANO, vol. non ancora disponibile (ISSN 1936-0851)
DOI 2025, Articolo su rivista - Scheda ARCA: 10278/5102157


Boccarossa M.; Maresca L.; Borghese A.; Riccio M.; Breglio G.; Irace A.; Salvatore G.A. The Ferro-Power MOSFET: Enhancing Short-Circuit Robustness in Power Switches with a Ferroelectric Gate Stack in IEEE ACCESS, vol. 13, pp. 59264-59274 (ISSN 2169-3536)
DOI 2025, Articolo su rivista - Scheda ARCA: 10278/5104805


Frroku S.; Sharma A.B.; Huesgen T.; Irace A.; Salvatore G.A. Modeling and Optimization of 1.2 kV SiC-Based Pre-package Power Module in Half-Bridge Arrangement Using Finite Element Analysis , Lecture Notes in Electrical Engineering, GEWERBESTRASSE 11, CHAM, CH-6330, SWITZERLAND, SPRINGER INTERNATIONAL PUBLISHING AG, vol. 1263 LNEE, pp. 390-404, Convegno: Annual Meeting of the Italian Electronics Society (ISBN 9783031715174; 9783031715181)
DOI 2025, Articolo in Atti di convegno - Scheda ARCA: 10278/5104807


Brasier, Noé; Niederberger, Carmela; Salvatore, Giovanni Antonio The sweat rate as a digital biomarker in clinical medicine beyond sports science in RUAN KEXUE, vol. 4 (ISSN 1001-8409)
DOI 2024, Articolo su rivista - Scheda ARCA: 10278/5060261


Boccarossa M.; Maresca L.; Borghese A.; Riccio M.; Breglio G.; Irace A.; Salvatore G.A. Substantial Improvement of the Short-circuit Capability of a 1.2 kV SiC MOSFET by a HfO2/SiO2Ferroelectric Gate Stack , Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics, 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA, IEEE, pp. 88-91, Convegno: IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics (ISSN 1063-6854)
DOI 2024, Articolo in Atti di convegno - Scheda ARCA: 10278/5104810